参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFT16N120Pn: 0
说明	未分类   Tube
起订量	30
最小包	30
现货	454 [库存更新时间：2024-06-04]
120 nC	Qg - 闸极充电
660 W	Pd - 功率消耗
互导 - 最小值	11 S
公司名称	Polar, HiPerFET
封装/外壳	Tube
FET类型	N-Channel
最低工作温度	- 55 C
最高工作温度	+ 150 C
连续漏极电流Id	16 A
标准包装数量	30
标准断开延迟时间	66 ns
系列	IXFT16N120
FET类型	Enhancement
配置	Single
Rds On(Max)@Id,Vgs	950 m0hms
漏源极电压Vds	1.2 KV
栅极电压Vgs	30 V
栅极电压Vgs	6.5 V
上升时间	28 ns
下降时间	35 ns